Способ получения локально легированной кремниевой плёнки с заданными характеристиками для устройств микроэлектроники

Способ получения локально легированной кремниевой плёнки с заданными характеристиками для устройств микроэлектроники, заключающийся в том, что изготавливают структуру, включающую в себя подложку, нанесённый на неё диэлектрический слой и аморфную кремниевую плёнку, нанесённую методом плазменно-химического осаждения из газовой фазы с помощью подачи в реактор потока моносилана при температуре до 700 °C, отличающийся тем, что выполняют ex situ локальное плазменное легирование кремниевой плёнки через маску из фоторезиста или электронного резиста по заданному рисунку путём подачи в реактор потока трихлорида бора и прикладыванием напряжения смещения между образцом и плазмой, после чего осуществляют термический отжиг образца для активации легирующей примеси при температуре 600 – 1000 °C.