-Оптоэлектронные приборы на основе наноструктур А3В5 различной размерности на кремнии

Основной научной проблемой, на решение которой направлен настоящий проект, является получение новых знаний о физических процессах и фундаментальных ограничениях, определяющих характеристики прямого и обратного преобразования ток-лазерное излучение в микрорезонаторах с активной областью на основе гетероструктур с различной квантовой размерностью (планарные эпитаксиальные структуры с массивами квантовых точек, нанопроволоки с квантовыми ямами или с квантовыми точками) прямозонных полупроводниковых материалов А3В5, эпитаксиально синтезируемых на кремниевых подложках. Практическим результатом, на достижение которого направлен проект, является определение наиболее оптимального типа и размерности гетероструктуры А3В5, ее конструкции и технологии синтеза, а также метода изготовления оптических микрорезонаторов для интеграции А3В5 с кремнием – основным материалом микроэлектроники, создание оптоэлектронных компонент на основе материалов А3В5 (в том числе, оптического микро-трансивера) на кремнии, демонстрация возможности построения интегральных оптоэлектронных сетей для реализации оптической связи на малые и сверхмалые расстояния (вплоть до оптической связи между интегральными схемами и даже внутри интегральной схемы).