НИОКТР
№ 125112413339-7

Создание установки жидкостной химической обработки

21.11.2025

Разработка установки жидкостной химической обработки для проведения процесса групповой обработки (химическое травление пленок нитрида и оксида кремния, химическая очистка кремниевых пластин, как базовых, так и на этапе формирования топологии) кремниевых пластин, организация долговременного технологического тестирования опытного образца, организация выпуска установок, в том числе создание производственной инфраструктуры, последующий вывод установок на рынок
ГРНТИ
55.39.31 Химическое, нефтехимическое и нефтеперерабатывающее машиностроение
Ключевые слова
химическая обработка
интегральные микросхемы
полупроводниковые пластины
производство
оборудование
Детали

Начало
30.06.2023
Окончание
31.12.2026
№ контракта
020-11-2023-684
Заказчик
МИНИСТЕРСТВО ПРОМЫШЛЕННОСТИ И ТОРГОВЛИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Исполнитель
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ УНИТАРНОЕ ПРЕДПРИЯТИЕ "РОССИЙСКИЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ ЯДЕРНЫЙ ЦЕНТР - ВСЕРОССИЙСКИЙ НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЙ ФИЗИКИ"
Бюджет
Средства федерального бюджета: 1 298 014 000 ₽; Собственные средства организаций: 145 868 800 ₽
Похожие документы
Разработка и производство промышленно-ориентированного технологического комплекса плазмохимического осаждения (ПХО) на базе кластерной системы с технологическими модулями: - модуль PECVD осаждения нитрида кремния; - модуль PECVD осаждения оксида кремния (SiH4/N2O); - модуль PECVD осаждения оксида кремния (TEOS); - модуль субатмосферного осаждения оксида кремния из TEOS/03 и роботизированной системы транспортирования пластин с использованием FOUP контейнеров
0.880
НИОКТР
Разработка и изготовление промышленно-ориентированного технологического комплекса плазмохимического травления (ПХТ) кластерного типа с технологическими модулями: - модуль травления металлов; - модуль ICP RIE анизотропного высокоселективного травления кремния и поликремния; - модуль удаления фоторезистивных и полимерных слоев; - модуль травления высокоаспектных диэлектрических структур и роботизированной системой транспортирования пластин с использованием FOUP контейнеров
0.878
НИОКТР
Разработка установки плазмохимического осаждения диэлектрических слоев SiO2, SiON, SiONGe
0.873
НИОКТР
Составная часть опытно-конструкторской работы "Разработка и изготовление технологического комплекса плазмохимического осаждения (ПХО) кластерного типа"
0.869
НИОКТР
Разработка установки электронно-лучевой литографии и базовых технологических процессов формирования на фотошаблоне топологических элементов ИС с проектными нормами 150 нм и прямого экспонирования полупроводниковых пластин
0.866
НИОКТР
Разработка и организация производства промышленно-ориентированного специального технологического оборудования газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений для реализации базовых технологических процессов эпитаксиального роста III-N гетеро-структур на подложках диаметром до 200 мм
0.861
НИОКТР
Составная часть опытно-конструкторских работ "Разработка и изготовление комплекта установок ионной имплантации (высокоэнергетическая) и (среднетоковая) для полупроводникового производства"
0.861
НИОКТР
Составная часть опытно-конструкторской работы "Разработка установки высокотемпературной активации примеси"
0.858
НИОКТР
Разработка и организация серийного производства автоматической зондовой установки для тестирования интегральных схем и полупроводниковых приборов на полупроводниковых пластинах
0.857
НИОКТР
Разработка и организация производства промышленно-ориентированного комплекта специального технологического оборудования атомарно-слоевого осаждения, плазмохимического травления и очистки и разработка нак их основе базовых технологических процессов для производства ЭКБ на пластинах диаметром до 200 мм с уровнем технологии 180-65 нм
0.856
НИОКТР