СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОЛСТОПЛЁНОЧНЫХ СТРУКТУР ДЛЯ ТЕПЛОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ГЕНЕРАТОРОВ

Изобретение относится к электронной технике, и именно к производству толстопленочных структур на основе моносульфида самария, которые могут быть использованы в производстве теплоэлектрогенераторов (ТЭГ). Повышение выхода годных структур ТЭГ, обладающих высоким коэффициентом полезного действия на контактные площадки проводникового слоя, является техническим результатом изобретения. В предложенном способе резистивный слой наносят из смеси в необходимых пропорциях первой резистивной пасты и второй пасты, содержащей частицы моносульфида самария (SmS), при этом вжигание нанесенных слоев проводят двумя циклами при температуре 750-850°С в течение 50 минут, 7-10 минут из которых вжигание проводят при максимальной температуре, и при температуре 820-1200°С в течение 50 минут, 10-20 минут из которых проводят вжигание при максимальной температуре.