РИД
№ АААА-Г17-617013110063-5Плазменный СВЧ реактор
31.01.2017
Изобретение относится к плазменным СВЧ реакторам для химического осажде-ния из газовой фазы материалов, в частности, для получения углеродных (алмазных) пленок. Плазменный СВЧ реактор содержит волноводную линию для подвода излучения от СВЧ генератора к реактору, цилиндрический резонатор, возбуждаемый с помощью коаксиальной линии со штырем связи, юстирующее устройство для настройки цилиндрического резонатора, реакционную камеру с системой напуска и откачки выбранной газовой смеси, с установленной в реакционной камере подложкой на подложкодержателе. Выполнение реактора на основе цилиндрического резонатора с нижней торцевой стенкой этого резонатора, имеющей уступ выбираемого профиля с внешним диаметром, равным внутреннему диаметру резонатора, позволяет формировать распределение ближнего электрического поля над подложкой диаметром более половины длины СВЧ волны.
ГРНТИ
29.27.51 Применение плазмы
47.09.29 Полупроводниковые материалы
Ключевые слова
ОСАЖДЕНИЕ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ
АЛМАЗ
АЛМАЗНАЯ ПЛЕНКА
ПЛАЗМА
ПЛАЗМОХИМИЧЕСКИЙ РЕАКТОР
Детали
НИОКТР
№ 01201367731
Тип РИД
Изобретение
Ожидается
Исполнитель
Исполнители
Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук"
Заказчик
Министерство образования и науки Российской Федерации
Похожие документы
СВЧ плазменный реактор с регулированием температуры косвенного нагрева подложки
0.938
РИД
СВЧ плазменный реактор с регулированием температуры косвенного нагрева подложки
0.938
РИД
СВЧ плазменный реактор с регулированием температуры косвенного нагрева подложки
0.938
РИД
Устройство СВЧ плазменного реактора с регулированием температуры косвенного нагрева подложки
0.928
РИД
Устройство СВЧ плазменного реактора с регулированием температуры косвенного нагрева подложки
0.928
РИД
Устройство СВЧ плазменного реактора с регулированием температуры косвенного нагрева подложки
0.928
РИД
Реактор для плазмохимического травления полупроводниковых структур
0.913
РИД
Плазмохимический реактор низкого давления, обеспечивающий плазму высокой плотностидля осуществления процесса в виде травления и осаждения
0.911
РИД
Плазмохимический реактор для получения ультрадисперсных тугоплавких порошковых материалов
0.910
РИД
Реактор для плазмохимической обработки полупроводниковых структур
0.909
РИД