Устройство СВЧ плазменного реактора с регулированием температуры косвенного нагрева подложки

Изобретение относится к исполнительным механизмам в устройствах для генерирования СВЧ плазмы высокой плотности мощности и может быть использовано для обеспечения контроля, стабилизации, регулирования температуры процесса по заданному алгоритму за счет позицинирования и фиксации держателя в горизонтальной плоскости аксиально оси реактора при осаждении алмазных пленок и покрытий на изделия машиностроения и электроники. Изобретение обеспечивает регулирование и поддержание температуры косвенного нагрева подложки длительное время с высокой точностью и не требует корректировки каких-либо режимных параметров плазмохимического осаждения, что упрощает конструкцию установки, обеспечивает ее автономную работу, и снижает потребляемую мощность.