Реактор для плазмохимической обработки полупроводниковых структур

11.01.2024

Задача изобретения заключается в создании плазмохимического реактора для высокоскоростного травления кремния, диэлектрических и полупроводниковых материалов на подложках большого диаметра (200-300 мм), а также высокоскоростного травления кварца, алмазоподобных пленок, карбида кремния и других материалов на глубину до 100 мкм и выше, где требуется высокая удельная ВЧ мощность на единицу поверхности для обеспечения высоких скоростей травления 1-5 мкм/мин.

ГРНТИ

47.13.11 Технология и оборудование для производства полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники

Ключевые слова

травление технологических материалов

обработка полупроводниковых структур

Детали

НИОКТР

№ 123121800001-9

Тип РИД

Изобретение

Сферы применения

Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к реакторам высокоплотной и высокочастотной плазменной обработки, и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем.

Ожидается

Исполнитель

Исполнители

Акционерное общество "Научно-исследовательский институт точного машиностроения"

Заказчик

МИНИСТЕРСТВО ПРОМЫШЛЕННОСТИ И ТОРГОВЛИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Похожие документы

Реактор для плазмохимического травления полупроводниковых структур

0.994

РИД

Реактор для плазменной обработки полупроводниковых структур

0.958