Полупроводниковая структура для фотопроводящих антенн

Предложенная структура представляет собой полупроводниковую многослойную эпитаксиальную структуру, выращенную на подложке GaAs с кристаллографической ориентацией (111)А, состоящую из чередующихся матричных слоёв нелегированного GaAs, выращенных в низкотемпературном режиме, и функциональных слоёв GaAs, выращенных в стандартном высокотемпературном режиме и легированных атомами кремния. Соотношение потоков мышьяка и галлия при эпитаксиальном росте выбирается таким, чтобы в высокотемпературном режиме эпитаксиального роста легированные кремнием слои GaAs проявляли р-тип проводимости, а слои GaAs в низкотемпературном режиме выращивались при соотношении потоков мышьяка и галлия в несколько раза больше (вплоть до 1 порядка), чем для высокотемпературных слоёв.