Материал на основе InGaAs на подложках InP для фотопроводящих антенн

Предложен полупроводниковый фотопроводящий материал со сверхмалым временем жизни фотовозбуждённых носителей заряда. Материал предназначен для создания активного слоя в фотопроводящих антеннах – детекторах и генераторах электромагнитного излучения терагерцевого диапазона частот. Предложенный материал представляет собой плёнку InGaAs, эпитаксиально выращенную при пониженной температуре роста на подложке InP с кристаллографической ориентацией (n11)А, где n = 1, 2, 3…, легированную примесными атомами с амфотерными свойствами (в том числе атомами кремния), причём соотношение потоков мышьяка и галлия при эпитаксиальном росте, а также концентрация легирующей примеси выбраны такими, что бóльшая часть примесных атомов является акцепторами.