Способ изготовления омических контактов к нитридным гетероструктурам на основе Si/Al

Изобретение относится к способу формирования омических контактов к нитридным гетероструктурам по вжигаемой технологии и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов с высокой степенью интеграции.Омический контакт формируется путем последовательного напыления в вакууме четырех слоев: кремний (Si), алюминий (Al), никель (Ni) и золото (Au), с использованием фоторезистивной маски «lift-off» на участок поверхности нитридной гетероструктуры с последующим статическим отжигом на графитовом столике в среде азота. Использование подслоя кремния обеспечивает при термической обработке за счет диффузии легирование подконтактной области, формируя высоколегированный полупроводник и изменяя работу выхода из него, обеспечивая формирование невыпрямляющего контакта алюминия с высоколегированной областью под контактом.