Способ получения монокристаллического SiC

Изобретение относится к микроэлектронике и касается технологии получения монокристаллов SiC – широко распространенного материала, используемого при изготовлении интегральных микросхем, в частности, методом высокотемпературного физического газового транспорта. В способе, предусматривающем размещение в ростовой камере, снабженной теплоизоляционным экраном с пирометрическим отверстием, ростового тигля с расположенными внутри него напротив друг друга источником из порошка карбида кремния и пластиной затравочного монокристалла карбида кремния SiC, создание в ростовом тигле поля рабочих температур с осевым градиентом в направлении от пластины затравочного монокристалла к источнику и осуществление испарения источника с последующей кристаллизацией карбида кремния на поверхности пластины затравочного монокристалла за счет воздействия нагрева камеры роста нагревателем и охлаждения пластины затравочного монокристалла через пирометрическое отверстие используют дополнительный теплоизоляционный экран, установленный непосредственно на внешней боковой стенке ростового тигля, а также обеспечивают регулируемое истечение кремнийсодержащих летучих соединений, образующихся при испарении источника, из ростового тигля в количестве от 20 до 50% от веса выращенного слитка в пересчете на карбид кремния путем изменения суммарного сечения отверстий и/или зазора через отверстия и/или зазоры, расположенные на уровне края фронта кристаллизации. Дополнительный экран формируют путем намотки листов огнеупорного материала. Способ позволяет улучшить качество получаемых монокристаллических слитков SiC, при увеличении выхода качественных слитков и снижении затрат на проведение способа за счет лучшей воспроизводимости процесса