Способ получения монокристаллического SiC политипа 4H

Изобретение относится к технологии получения монокристаллического карбида кремния (SiC). Задачей предлагаемого изобретения является создание способа получения слитка монокристаллического SiC политипа 4H, обеспечивающего технический результат, заключающийся в повышении стабильности осуществления процесса выращивания слитка монокристаллического SiC политипа 4H и улучшении воспроизводимости процесса роста слитков монокристаллического SiC политипа 4H, и тем самым позволяющий повысить качество слитков, а так же в снижении затрат на проведение способа. Способ получения монокристаллического SiC политипа 4H, при котором размещают ростовой тигль с помещенными внутри него источником карбида кремния, пластиной затравочного монокристалла SiC с формообразователем, а также источником соединения церия, в пространстве камеры роста, нагревают ростовой тигль в инертной газовой атмосфере до температур, достаточных для сублимации источника карбида кремния при наличии осевых градиентов температур и переноса летучих кремнийсодержащих соединений от источника карбида кремния к пластине затравочного монокристалла и рост слитка монокристаллического SiC в присутствии соединения церия, отличающийся тем, что в качестве соединения церия используют твердый раствор карбидов тантала и церия с содержанием церия от 0,5 до 1,5% (масс.). Соединение церия в виде твердого раствора карбидов тантала и церия наносят в виде пленки твердого раствора на внутренние поверхности ростового тигля или внутренние поверхности формообразователя