Программа для измерения вольтамперных характеристик мемристивных структур

21.02.2022

Программа предназначена для исследования гистерезиса вольтамперных характеристик, инициируемого явлением резистивного переключения в тонких полупроводниковых слоях. Программа обеспечивает задание амплитуды напряжения, шага напряжения, скорости фронтов нарастания и спада и измерение величины тока.

ГРНТИ

47.33.31 Интегральные микросхемы

Ключевые слова

гистерезис

вольтамперная характеристика

Мемристор

Детали

НИОКТР

№ АААА-А20-120071490038-5

Тип РИД

Программа для ЭВМ

Сферы применения

В искусственных нейронных сетях и устройствах сверхплотной памяти

Ожидается

Исполнитель

Исполнители

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"

Заказчик

МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Похожие документы

Виртуальный прибор для моделирования вольт-амперных характеристик мемристорных устройств

0.897

РИД

Виртуальный прибор для моделирования вольт - амперных характеристик мемристорных устройств

0.893

РИД

Программа для расчета вольт-амперных характеристик мемристоров

0.891

РИД