РИД
№ 624012605773-7

Программа моделирования криогенного плазменного травления NGCES

26.01.2024

Программа решает задачи математического моделирования процесса криогенного плазменного травления. Программа позволяет рассчитывать трехмерные профили травления для произвольной топологии маски и параметров плазменного разряда, задаваемых пользователем. Область моделирования разбивается на кубические ячейки. Профиль травления представляется как граница между заполненными и вакантными ячейками. Потоки частиц плазмы внутри профиля рассчитываются с помощью метода Монте-Карло, а поверхностная кинетика моделируется в рамках подхода кинетического Монте-Карло. Программа построена по модульному принципу, причем конкретные реализации модулей задаются пользователем перед расчетом. Это позволяет эффективно решать задачи расчета профилей травления, а также оптимизации и калибровки параметров модели. Возможен вывод результата расчетов в файл формата HDF5. ОС: Windows 10 и выше.
ГРНТИ
47.13.07 Технология и оборудование для производства приборов и устройств наноэлектроники
47.13.07 Технология и оборудование для производства приборов и устройств наноэлектроники
Ключевые слова
Глубокого травление кремния
Плазменное травление
моделирование методом Монте-Карло
криогенное травление
кинетика поверхностных реакций
Детали

НИОКТР
Тип РИД
Программа для ЭВМ
Сферы применения
Применение для моделирования профиля плазменного криогенного травления кремния. Определение шероховатости боковых стенок. Оптимизация процессов.
Ожидается
Исполнитель
Исполнители
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт имени К.А.Валиева Российской академии наук
Заказчик
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Похожие документы
Математическое моделирование процесса криогенного плазменного травления высокоаспектных микроструктур в кремнии
0.861
Диссертация
Кинетическое моделирование физических процессов при росте наноструктур In/AlGaAs методом капельной эпитаксии на подложках, модифицированных участками прямоугольной формы
0.848
РИД
Математическое моделирование плазмохимических технологий микроэлектроники
0.847
Диссертация
Программа для Молекулярно Динамического моделирования падения кластерного иона на поверхность монокристалла кремния и анализа результатов
0.847
РИД
Программный модуль процесса искрового плазменного спекания композита SiC-УНТ
0.845
РИД
Программа для моделирования процесса ионно-плазменного нанесения оксинитридных тонких пленок при одновременном распыление мишеней двух химических элементов
0.843
РИД
Программа для кинетического моделирования формирования наноструктур In/GaAs(001) методом капельной эпитаксии
0.843
РИД
Термокинетическая модель лазерной графитизации в искусственном алмазе
0.842
РИД
Программа моделирования пространственного распре-деления объемного заряда в полупроводниковой барьерной структуре на основе аморфного гидрогенезированного кремния
0.842
РИД
Программа численного моделирования струйного источника низкотемпературной плазмы атмосферного давления в смеси воздуха с аргоном
0.841
РИД