Кинетическое моделирование физических процессов при росте наноструктур In/AlGaAs методом капельной эпитаксии на подложках, модифицированных участками прямоугольной формы

Программно-реализованная модель позволяет учесть межатомное взаимодействие частиц в шести координационных сферах и плотность упаковки атомов в формируемых структурах, получить зависимости геометрических характеристик наноструктур от основных технологических параметров метода капельной эпитаксии и др. Функциональные возможности программы включают выявление параметров локализации осажденного материала, расчет размеров и поверхностной плотности наноструктур, исследование формы наноструктур в углублениях и их окрестностях, расчёт степени заполнения прямоугольных углублений осаждаемым материалом в зависимости от технологических параметров.