НИОКТР
№ 123011600081-7

Фундаментальные и прикладные исследования технологий формирования функциональных диэлектриков в микроструктурах интегральных схем

21.11.2023

В рамках темы планируется решение ряда исследовательских задач направленных на азработку технологий формирования и изготовление опытных образцов интегральных планарных конденсаторов высокой емкости с высокими пробивными напряжениями и исследования возможностей внедрения в промышленное производство. Будут исследованы подходы к формированию тренчевых конденсаторов высокой емкости (емкость на единицу поверхности подложки ~100 раз выше планарных) с высокими пробивными напряжениями и исследования возможностей внедрения в промышленное производство. Кроме того, будут проведены исследования технологий формирования высокотемпературных интегральных конденсаторов.
ГРНТИ
47.33.31 Интегральные микросхемы
47.33.37 Приборы функциональной микроэлектроники
29.19.22 Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
47.09.48 Наноматериалы для электроники
50.11.99 Другие запоминающие устройства
Ключевые слова
Конденсаторы DRAM
Высокотемпературные интегральные конденсаторы
Интегральные конденсаторы
Конденсаторы высокой емкости
Функциональные диэлектрики
Атомно-слоевое осаждение металлов и диэлектриков
Атомно-слоевое травление
Диэлектрики с высокой диэлектрической проницаемостью
Диэлектрическая пассивация поверхности полупроводниковых приборов
Детали

Начало
01.01.2022
Окончание
31.12.2026
№ контракта
075-03-2022-377/1
Заказчик
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ЦЕНТР "КУРЧАТОВСКИЙ ИНСТИТУТ"
Исполнитель
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт имени К.А.Валиева Российской академии наук
Бюджет
Средства федерального бюджета: 86 473 000 ₽
Похожие документы
Исследование конструктивно-технологических принципов создания ряда планарных накопительных конденсаторов для наносекундных сильноточных лавинных переключателей
0.925
НИОКТР
Фундаментальные и прикладные исследования технологий формирования функциональных диэлектриков в микроструктурах интегральных схем (промежуточный, этап 1)
0.924
ИКРБС
Исследование технологии изготовления пассивных интегральных компонентов на основе кремниевых подложек для СВЧ применений
0.917
ИКРБС
Разработка и совершенствование конструктивно-технологического базиса отечественной электронной компонентной базы
0.917
ИКРБС
Разработка и совершенствование конструктивно-технологического базиса отечественной электронной компонентной базы (промежуточный).
0.914
ИКРБС
Исследование конструктивно-технологических принципов создания ряда планарных накопительных конденсаторов для наносекундных сильноточных лавинных переключателей
0.913
ИКРБС
Фундаментальные и прикладные исследования технологий формирования функциональных диэлектриков в микроструктурах интегральных схем (промежуточный, этап 2)
0.910
ИКРБС
Разработка и исследование электронно-перестраиваемых конденсаторных структур на основе сегнетоэлектрических материалов
0.909
НИОКТР
Разработка технологии изготовления пассивных согласующих элементов для СВЧ интегральных схем
0.907
НИОКТР
Разработка и совершенствование конструктивно-технологического базиса отечественной электронной компонентной базы
0.907
НИОКТР