АВТОЭМИССИОННЫЙ ИСТОЧНИК ЭЛЕКТРОНОВ НА ОСНОВЕ УГЛЕРОДНЫХ ПЛЕНОЧНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР

Полезная модель относится к области электронной промышленности, а именно к автоэмиссионным источникам электронов, и может быть использована в сверхбыстродействующих цифровых или сверхвысокочастотных электронных приборах. Техническая проблема заключается в разработке автоэмиссионного источника электронов на основе углеродных гетероструктур, обеспечивающего бездиссипативный транспорт в системе твердое тело-вакуум. Технический результат заключается в повышении максимальной плотности тока. Технический результат достигается тем, что автоэмиссионный источник электронов на основе углеродных пленочных гетероструктур, включающий поликоровую подложку и чередующиеся обогащенные и обедненный слои, согласно решению, содержит три обогащенных слоя и два, расположенных между ними обедненных слоя, расположенный на подложке обогащенный слой нанесен на всю поверхность подложки, а остальные слои с технологическим отступом от одного края подложки, причем на поверхность нижнего и верхнего обогащенных слоев нанесены никелевые электроды, а обогащенные слои имеют толщину в диапазоне от 100 нм до 350 нм, обедненные слои имеют толщину в диапазоне от 5 нм до 15 нм. 1 н.п. ф-лы, 2 илл.