Монолитная интегральная схема SPDT переключателя S-диапазона, созданный на базе 0,5 мкм GaAs pHEMT технологии

07.07.2025

ИМС представляет собой SPDT переключатель S-диапазона, выполненный на основе 0,5 мкм GaAs рНЕМТ технологии. Технические характеристики: диапазон частот 2-4 ГГц; коэффициент отражения по входу -15,347 дБ, коэффициент отражения по выходу -14,844 дБ, коэффициент отражения по третьему порт -15,398 дБ, изоляция 42,462 дБ, коэффициент стоячей волны 1,439; уровень входной мощности, при котором выходная мощность устройства снижается на 1 дБ 29,9 дБм. Размеры кристалла 2000 × 1500 мкм.

ГРНТИ

47.33.31 Интегральные микросхемы

Ключевые слова

SPDT ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ S-ДИАПАЗОНА

ДИАПАЗОН ЧАСТОТ 2-4 ГГЦ

Детали

НИОКТР

№ 125060206591-5

Тип РИД

Топология интегральных микросхем

Сферы применения

ИМС представляет собой SPDT переключатель S-диапазона, выполненный на основе 0,5 мкм GaAs рНЕМТ технологии.

Ожидается

Исполнитель

Исполнители

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ"

Заказчик

МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Похожие документы

Монолитная интегральная схема SPDT коммутатора поглощающего типа со встроенным драйвером управления для S-диапазона на основе 0,5 мкм GaAs pHEMT технологии

0.954

РИД

Топология интегральной микросхемы SPDT_G75

0.935

РИД

Интегральная микросхема SPDT_Chip-переключатель сигналов

0.931

РИД