Монолитная интегральная схема буферного усилителя DC - 4 ГГц диапазона частот схемы Дарлингтона на основе 0,25 мкм GaAs рНЕМТ технологии

Функционально микросхема представляет собой усилитель, разработанный на основе усилительной ячейки схемы Дарлингтона, работающий в диапазоне частот DC – 4 ГГц, выполненный на основе 250 нм GaAs технологии. Усилительная ячейка состоит из двух pHEMT транзисторов, при этом исток первого транзистора соединен с затвором второго транзистора. Также в схеме присутствует ветвь обратной отрицательной связи, позволяющая увеличить устойчивость усилителя во всем диапазоне частот. Технические характеристики: диапазон частот DC – 4 ГГц; малосигнальный коэффициент усиления 13,93 дБ в минимуме и 17,97 дБ в максимуме, коэффициенты отражения по входу/выходу составляют не более -9,92/-14,3 дБ, соответственно. Выходная мощность имеет значение не менее 19,5 дБм, а КПД – не менее 28% в диапазоне DC – 4 ГГц. Разработанный усилитель устойчив во всем диапазоне частот от 0 до 20 ГГц; напряжение питания +3 В; ток потребления – 60 мА. Размеры кристалла 1,5×1 мм2.