ОТЧЕТ ПО НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКОЙ РАБОТЕ "Разработка технологии МОС-гидридной эпитаксии полупроводниковых гетероструктyр лазерных источников для гетерогенной интеграции Si/A3B5" промежуточный, этап 2: «Разработка базовой технологии роста методом МОС-гидридной эпитаксии планарных волноводных гетероструктур In-Ga-Al-As-P/InP для гетерогенно-интегрированных структур КНИ/А3В5»

Объектом исследования является создание планарных волноводных гетероструктур In-Ga-Al-As-P/InP для гетерогенно-интегрированных структур КНИ/А3В5. Цель работы – разработка базовой технологии роста методом МОС-гидридной эпитаксии планарных волноводных гетероструктур In-Ga-Al-As-P/InP для гетерогенно-интегрированных структур КНИ/А3В5. В ходе выполнения НИР на 2 этапе представлены следующие экспериментальные результаты: – разработанная базовая технология роста методом МОС-гидридной эпитаксии планарных волноводных гетероструктур In-Ga-Al-As-P/InP для гетерогенно-интегрированных КНИ/А3В5 структур. На ее основе созданы лабораторные образцы в количестве 3 шт; - разработанная методика исследования лабораторных образцов и на основе нее проведены исследования лабораторных образцов. Показано, что длина волны находится в диапазоне 1322-1344 нм, однородность длины волны не превышает 1.2 %, шероховатость поверхности образцов не превышает 0.146 нм, однородность толщин слоев не превышает 6.4 %. Полученные данные удовлетворяют требованиям Технического задания; - разработанная модель для напряженно компенсированных планарных гетероструктур In-Ga-Al-As-P/InP с активной областью на основе множественных квантовых ям. Изготовлены образцы с одиночными и множественными квантовыми ямами и исследованы их свойства. Показана, что предложенная модель адекватно описывает экспериментальные результаты. На основе полученных результатов выработаны рекомендации; - созданные дискретные тестовые образцы на основе планарных гетерогенно-интегрированных КНИ/А3В5 структур в количестве 2 шт; - разработанная методика исследования дискретных тестовых образцов на основе планарных гетерогенно-интегрированных КНИ/А3В5 структур. На ее основе проведены исследования дискретных тестовых образцов планарных гетерогенно-интегрированных КНИ/А3В5 структур. Показано, что в тестовых образцах на основе планарных гетерогенно-интегрированных КНИ/А3В5 структур наблюдается фундаментальная оптическая мода.