ИКРБС
№ АААА-Б16-216042160033-8Этап 3, Экспериментальные исследования поставленных задач, Промежуточный
18.04.2016
Разработаны методики испытаний подложек ФЭП, ФЭП. Проведен анализ эффективности измеренийнапряжения холостого хода, фактора заполнения, КПД. Выполнены испытания подложек ФЭП, ФЭП. Предельные значений КПД достигаются при 200 - 250 K, при росте тока КЗ в диапазоне от 80 до 400 K.По результатам испытаний сделаны выводы. Оптимизация текстурирования поверхности и легирования базы вблизи Nd ≈ 2•10E16 смE-3 повышает КПД ФЭП на 1,5%. Испытания осуществляют контроль параметров технологий подложек ФЭП и ФЭПов, необходимых для достижения требований ТЗ.Результаты испытаний подложек ФЭП и ФЭП сопоставлены в информационной базе (250 шт.). Разработаны технические требования к подложкам ФЭП, ФЭП. Для исследовательских испытаний изготовлены экспериментальные образцы подложек ФЭП в количестве 6 шт., ФЭП в количестве 10 шт. с использованием реакторов KAI размером 156 х 156 мм², с КПД выше 20%, разброс ± 0,5 абс.%.
ГРНТИ
44.41.35 Установки прямого преобразования энергии светового излучения в электрическую
Ключевые слова
ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ
ЭФФЕКТИВНОСТЬ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ
КРЕМНИЙ
ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ ПОКАЗАТЕЛИ
ЭКОНОМИЧЕСКИЕ ПОКАЗАТЕЛИ
НАПРЯЖЕНИЕХОЛОСТОГО ХОДА
ТОК КОРОТКОГО ЗАМЫКАНИЯ
Детали
НИОКТР
№ 114112440210
Заказчик
Министерство образования и науки Российской Федерации
Исполнитель
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Похожие документы
Экспериментальные исследования. Доработка составных частей пассивных и активных функциональных наноэлементов. Промежуточный.
0.890
ИКРБС
Этап третий, "Экспериментальные исследования лазерных диодов"
0.888
ИКРБС
Экспериментальные исследования. Доработка составных частей пассивных и активных функциональных наноэлементов. Этап 4
0.882
ИКРБС
ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ
0.882
ИКРБС
Исследование физических процессов деградации многослойных полупроводниковых гетероструктур МИС СВЧ и их элементов в результате действия перепадов температуры и ИИ. Этап 3
0.880
ИКРБС
«Экспериментальные исследования кинетики параметров элементов и узлов полупроводниковой СВЧ электроники в результате действия перепадов температуры и ИИ»(промежуточный)
0.880
ИКРБС
Этап № 5. Доработка конструкторской документации и программного обеспечения по результатам испытаний (заключительный)
0.879
ИКРБС
Этап №3. "Разработка рабочих КД и ТД для изготовления опытных образцов. Разработка методик исследования образцов изделий. Разработка измерительных и испытательных оснасток. Изготовление опытных образцов продукта 1. Отработка и выполнение отдельных технологических операций по сборке опытных образцов продукта 1 (отмывка, плазменная очистка, отработка типа посадки, отработка процесса дозирования сушки клея, микросварка выводов). Проведение исследовательских испытаний опытных образцов продукта 1" (промежуточный)
0.877
ИКРБС
ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ (ВТОРАЯ ОЧЕРЕДЬ) Этап 3 ( промежуточный)
0.876
ИКРБС
РАЗРАБОТКА КОНСТРУКЦИЙ И ТЕХНОЛОГИИ СОЗДАНИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР ПРИБОРОВ СВЧ-МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ В ИНТЕРЕСАХ РОССИЙСКОЙ ПРОМЫШЛЕННОСТИ (заключительный, этап 3)
0.874
ИКРБС