ИКРБС
№ АААА-Б16-216102670010-2Экспериментальные исследования. Доработка составных частей пассивных и активных функциональных наноэлементов. Этап 4
10.06.2016
Объект исследования - пассивные и активные наноэлементы криоэлектроники с заданным уровнем критических параметров и свойств, изготовленные из сверхпроводящего NbN путем облучения ионными пучками различного состава. Основными результатами на данном этапе работы являются: оптимизация изготовления и совместного интегрирования активных наноэлементов на одном чипе, совершенствование топологии джозефсоновского перехода, СВЧ-фильтров, интегрированных детекторов, что позволило увеличить выход годного до (91 - 99)% при уменьшении технологических операций. Изготовлена, введена в строй и экспериментально проверена работоспособность отдельных узлов системы на основе машины замкнутого цикла в совокупности со стендом для проведения поверочных и исследовательских работ нанообъектов в широком температурном диапазоне. Получен патент «Способ изготовления сверхпроводящих многосекционных оптических детекторов».
ГРНТИ
29.19.21 Влияние облучения на свойства твердых тел
29.19.29 Сверхпроводники
29.19.16 Физика тонких пленок. Поверхности и границы раздела
Ключевые слова
СВЕРХПРОВОДЯЩИЙ ФУНКЦИОНАЛЬНЫЙ НАНОМАТЕРИАЛ
ПАССИВНЫЕ И АКТИВНЫЕ НАНОЭЛЕМЕНТЫ
ОДНОФОТОННЫЙ ДЕТЕКТОР
НАНОПРОВОД
РАДИАЦИОННЫЕ НАНОТЕХНОЛОГИИ
Детали
НИОКТР
№ 114111240014
Заказчик
Министерство образования и науки Российской Федерации
Исполнитель
федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт"
Похожие документы
Экспериментальные исследования. Доработка составных частей пассивных и активных функциональных наноэлементов. Промежуточный.
0.967
ИКРБС
Создание инновационной технологии получения новых сверхпроводниковых наноматериалов с конкурентоспособными параметрами для изготовления чиповых криогенных устройств различного функционального назначения. Обобщение результатов исследований. Анализ полученных данных и разработка рекомендаций
0.933
ИКРБС
Разработка прибора и способов диагностики наношероховатости и физико-механических свойств внутренних поверхностей тяжелонагруженных опор скольжения с топокомпозитным поверхностным слоем. Обобщение результатов исследований. Анализ полученных данных и разработка рекомендаций
0.920
ИКРБС
Развитие технологии формирования и исследование наноструктур и новых компонентов наноэлектроники на основе полупроводниковых, металлических и сверхпроводниковых слоев
0.912
ИКРБС
Развитие представлений о процессах синтеза и свойствах наноразмерных материалов и гетероструктур для электроники и фотоники.
0.909
ИКРБС
Разработка и исследование сверхпроводниковых наноструктур для приемных устройств субтерагерцового диапазона
0.909
ИКРБС
Этап №1 "Разработка установки одностадийного аддитивного формирования барьерных контактов методами ALD/CVD с лазерной импульсной локальной активацией на поверхности подложек. Отработка на прототипе методики формирования островковых пленок металлов на различных подложках. Подготовка комплектов эскизной конструкторской и технологической документации. Проектирование полупроводниковой структуры. Проведение литографических операций и подбор режимов по формированию омических контактов. Отработка режимов осаждения толстых пленок диэлектрика Si3N4 плазмохимическим методом. Отработка режимов и проведение литографичеких операций по формированию межсоединений на изолирующем диэлектрике. Исследование морфологии поверхности и стехиометрии состава пленок традиционными методами, измерение их электрофизических характеристик." (промежуточный)
0.908
ИКРБС
Разработка и исследование новых быстродействующих элементов для сверхпроводящей электроники
0.907
ИКРБС
Развитие технологии формирования и исследование наноструктур и новых компонентов наноэлектроники на основе полупроводниковых, металлических и сверхпроводниковых слоев
0.905
ИКРБС
Развитие представлений о процессах синтеза и свойствах наноразмерных материалов и гетероструктур для электроники и фотоники
0.905
ИКРБС