ИКРБС
№ АААА-Б19-219071190031-2Обеспечение проведения научных исследований. Отработка и исследование технологических операций изготовления HEMT транзистора на основе широкозонных полупроводников на плазмо-химическом и напылительном оборудовании
09.07.2019
Объект исследования: технологические операции изготовления HEMT-транзистора на основе широкозонных полупроводников. Цель: отработка и исследование технологических операций изготовления HEMT-транзистора на основе широкозонных полупроводников на плазмохимическом и напылительном оборудовании. Отработаны технологические процессы изготовления цифровых интерфейсов, технологический процесс сквозного травления подложек карбида кремния. Подготовлен научно-технический отчет.
ГРНТИ
47.33.29 Дискретные полупроводниковые приборы
Ключевые слова
СВЧ МИС
ШИРОКОЗОННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ
ГЕТЕРОБИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
PHEMT
Детали
Заказчик
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Исполнитель
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"
Похожие документы
Обеспечение проведения научных исследований. Отработка и исследование технологических операций изготовления HEMT транзистора на основе широкозонных полупроводников на плазмо-химическом и напылительном оборудовании.
0.972
НИОКТР
Теоретические и экспериментальные исследования технологических операций
0.907
ИКРБС
ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ПРОЕКТИРОВАНИЯ И ТЕХНОЛОГИИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИЗДЕЛИЙ И ОБОРУДОВАНИЯ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ
0.906
ИКРБС
Разработка технологии изготовления и проведение исследований экспериментальных образцов транзистора на основе органических полупроводников
0.906
ИКРБС
Исследование и разработка технологии изготовления сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на основе гетероструктур InAlN/GaN для изделий космического применения по теме: ИЗГОТОВЛЕНИЕ МАКЕТОВ, ПРОВЕДЕНИЕ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИХ ИСПЫТАНИЙ (промежуточный, этап 2)
0.906
ИКРБС
Разработка и исследование технологии изготовления мощных СВЧ транзисторов и МИС на основе AlInGaN наногетероструктур на подложках полуизолирующего карбида кремния диаметром до 100 мм
0.904
ИКРБС
Исследование конструктивно-технологических принципов обработки подложек полуизолирующего карбида кремния диаметром до 100 мм и эпитаксиального роста AlInGaN наногетероструктур для мощных СВЧ-транзисторов и МИС для высокоскоростных беспроводных сетей четвертого поколения
0.904
ИКРБС
Выбор направления исследований
0.903
ИКРБС
Разработка и проведение технологических операций изготовления СВЧ- транзисторов на гетероструктурах с двойным электронным ограничением на основе нитрида галлия
0.902
НИОКТР
Разработка и проведение технологических операций по изготовлению лавинных фотодиодов на основе InGaAs
0.899
НИОКТР