НИОКТР
№ 125060206602-8

Разработка технологии изготовления пассивных согласующих элементов для СВЧ интегральных схем

20.05.2025

Объект исследования: МОП-конденсаторов на Si низкоомной подложке Цель работы: исследование и разработка технологий изготовления пассивных интегральных компонентов (ПИК) на основе Si подложек для СВЧ применений. Ожидаемые результаты: 1 Будет исследована технология изготовления МОП-конденсаторов на Si низкоомной подложке. 2 Должна быть исследована технология изготовления изделий на основе пассивных интегральных компонентов на Si высокоомной подложке; 3 Должны быть изготовлены образцы МОП-конденсаторов; 4 Должны быть изготовлены образцы изделий на основе технологии ПИК; 5 Должны быть исследованы характеристики изготовленных образцов.
ГРНТИ
47.13.11 Технология и оборудование для производства полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники
Ключевые слова
ТЕХНОЛОГИЯ
КРЕМНИЕВАЯ ПОДЛОЖКА
ПАССИВНЫЙ ИНТЕГРАЛЬНЫЙ КОМПОНЕНТ
Детали

Начало
15.04.2025
Окончание
15.10.2025
№ контракта
Договор № 2502/604
Заказчик
ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "РАДИС ЛТД"
Исполнитель
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ "МОСКОВСКИЙ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ"
Бюджет
Средства хозяйствующих субъектов: 720 000 ₽
Похожие документы
Исследование технологии изготовления пассивных интегральных компонентов на основе кремниевых подложек для СВЧ применений
0.970
НИОКТР
Исследование технологии изготовления пассивных интегральных компонентов на основе кремниевых подложек для СВЧ применений
0.967
ИКРБС
Разработка топологии и технологии изготовления СВЧ транзисторов для создания усилителей мощности
0.922
ИКРБС
Разработка и совершенствование конструктивно-технологического базиса отечественной электронной компонентной базы (промежуточный).
0.918
ИКРБС
Разработка конструкций и технологии создания гетероструктур приборов свч-микроэлектроники в интересах российской промышленности
0.918
ИКРБС
Разработка и проведение технологических операций изготовления СВЧ- транзисторов на гетероструктурах с двойным электронным ограничением на основе нитрида галлия
0.917
НИОКТР
Разработка топологии и технологии изготовления СВЧ транзисторов для создания усилителей мощности
0.915
НИОКТР
Разработка технологии и создание монолитного GaAs СВЧ малошумящего усилителя с металлизацией на основе пленок Al и Cu
0.915
Диссертация
Исследование конструктивно-технологических принципов создания ряда планарных накопительных конденсаторов для наносекундных сильноточных лавинных переключателей
0.913
НИОКТР
Разработка и исследование технологии изготовления мощных СВЧ транзисторов и МИС на основе AlInGaN наногетероструктур на подложках полуизолирующего карбида кремния диаметром до 100 мм
0.912
ИКРБС