Исследование технологии изготовления пассивных интегральных компонентов на основе кремниевых подложек для СВЧ применений

Объект исследования: пассивные интегральные компоненты на основе кремниевых подложек для СВЧ применений. Цель исследования: исследование технологий изготовления пассивных интегральных компонентов (ПИК) основе Si подложек для СВЧ применений. Проект направлен на решение задачи формирования МОП-конденсаторов на основе структур кремний/нитрид (оксид) кремния/металл и схем согласования СВЧ цепей на основе МОП-конденсаторов и планарных спиральных катушек индуктивности. В работе решаются конструкторские и технологические задачи, связанные с изготовлением на кремниевых подложках данных структур. МОП-конденсатор представляет собой низкоомную кремниевую подложку с осажденным методом плазмостимулированного осаждения из газовой фазы слоем диэлектрика. В качестве диэлектрика исследуется применение нитрида или оксида кремния. На поверхности диэлектрика формируется металлический электрод с заданной площадью. Изделия на основе ПИК представляют собой схему согласования, содержащую МОП-конденсатор и спиральную катушку индуктивности. Схема формируется на поверхности высокоомной кремниевой подложки. Основной задачей данной работы является разработка технологии изготовления МОП-конденсаторов и изделий на основе ПИК. В ходе работ разрабатывалась конструкция изделий и технология их изготовления. По разработанной технологии были изготовлены образцы изделий и исследованы их характеристики.