ИКРБС
№ 225061116599-5Разработка базовой топологии чипов высокотемпературных диодов на основе гетероструктур GaAs-AlGaAs. Разработка технологии формирования омических контактов на анодную и катодную поверхности гетероструктур GaAs-AlGaAs. Изготовление шлифованных пластин монокристаллического легированного GaAs толщиной 380-420 мкм из исходных слитков арсенида галлия для проведения процессов эпитаксии. Разработка необходимых методик контроля основных электрофизических параметров гетероструктур GaAs-AlGaAs. Изготовление экспериментальной партии гетероструктур GaAs-AlGaAs. Разработка методик контроля основных электрофизических параметров тестовых чипов на основе гетероструктур GaAs-AlGaAs. (Промежуточный).
10.06.2025
Отчет 80 с., 1 кн., 39 рис., 23 табл., 15источн., 6 прил.
ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА, ЖИДКОФАЗНАЯ ЭПИТАКСИЯ, ГЕТЕРОСТРУКТУРА, АРСЕНИД ГАЛЛИЯ-АЛЮМИНИЯ, МНОГОСЛОЙНЫЕ КОМПОЗИЦИИ, ВЫСОКООМНАЯ ОБЛАСТЬ, СИЛОВОЙ ДИОД, ВРЕМЯ ОБРАТНОГО ВОССТАНОВЛЕНИЯ
Целью проекта является разработка гетероструктур арсенида галлия-алюминия, предназначенных для изготовления высоковольтных приборов с рабочей температурой до 250оС, а также технологии их производства.
В ходе выполнения 3 этапа НИОКР достигнуты следующие результаты:
- разработана базовая топология чипов высокотемпературных диодов на основе гетероструктур GaAs-AlGaAs;
- разработана технология формирования омических контактов на анодную и катодную поверхности гетероструктур GaAs-AlGaAs;
- изготовлены шлифованные пластины монокристаллического легированногоGaAsтолщиной 380-420 мкм из исходных слитков арсенида галлия для проведения процессов эпитаксии;
- разработаны необходимые методики контроля основных электрофизических параметров гетероструктур GaAs-AlGaAs;
- изготовлена экспериментальная партия гетероструктур GaAs-AlGaAs и передана приборным предприятиям для испытаний;
разработаны необходимые методики контроля основных электрофизических параметров тестовых чипов на основе гетероструктур GaAs-AlGaAs;
В рамках внебюджетного финансирования проведены следующие работы:
- изготовлены макеты силовых диодов на основе экспериментальной партии гетероструктур GaAs-AlGaAs и проведены их испытания.
Согласно результатам испытаний макеты GaAsp-i-n диодов демонстрируют слабую зависимость прямого напряжения от температуры, высокое быстродействие, практически независящее от температуры, низкие значения обратных токов при повышенной температуре корпуса вплоть до 250°С.
Перечень, объем, и содержание выполненных работ по 3 этапу в полной мере соответствуют Техническому заданию и Календарному плану НИОКР и обеспечивают достижение цели НИОКР.
ГРНТИ
47.09.29 Полупроводниковые материалы
Ключевые слова
ВРЕМЯ ОБРАТНОГО ВОССТАНОВЛЕНИЯ
СИЛОВОЙ ДИОД
ВЫСОКООМНАЯ ОБЛАСТЬ
МНОГОСЛОЙНЫЕ КОМПОЗИЦИИ
АРСЕНИД ГАЛЛИЯ-АЛЮМИНИЯ
ГЕТЕРОСТРУКТУРА
ЖИДКОФАЗНАЯ ЭПИТАКСИЯ
ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
Детали
НИОКТР
Заказчик
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "ФОНД СОДЕЙСТВИЯ РАЗВИТИЮ МАЛЫХ ФОРМ ПРЕДПРИЯТИЙ В НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЙ СФЕРЕ"
Исполнитель
ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "МЕГА ЭПИТЕХ"
Бюджет
Средства фондов поддержки научной и (или) научно-технической деятельности: 11 500 000 ₽
Похожие документы
Разработка базовой конструкции гетероструктуры GaAs-AlGaAs для высокотемпературных применений.
Изготовление резаных пластин монокристаллического легированного GaAs толщиной 480-520 мкм из исходных слитков арсенида галлия для проведения процессов эпитаксии.
Доработка метода комплексного легирования примесями эпитаксиальных слоев в системе GaAs-AlGaAs применительно к высокотемпературным требованиям.
Разработка технологических основ формирования высокоомной p-i-n-области с заданным профилем распределения концентрации носителей применительно к высоко-температурным требованиям.
Оптимизация режимов нанесения пассивирующих покрытий на поверхность гетероструктур GaAs-AlGaAs методом атомно-слоевого осаждения.
(Промежуточный)
0.977
ИКРБС
Разработка гетероструктур арсенида галлия-алюминия и технологии их производства для приборов высокотемпературной электроники (заключительный).
0.975
ИКРБС
Разработка способа оптимизации температурной зависимости электрофизических параметров гетероструктуры GaAs-AlGaAs посредством управления параметрами контактного n+-слоя и высокоомной области.
Изготовление резаных пластин поликристаллического нелегированного GaAs толщиной 1500-2000 мкм из исходных слитков арсенида галлия для проведения процессов эпитаксии.
Оптимизация величины удельной емкости структур варьированием параметров эпитаксиального процесса.
Разработка технологического маршрута пассивации боковой поверхности меза-канавок, сформированных на гетероструктурах GaAs-AlGaAs с использованием метода атомно-слоевого осаждения.(Промежуточный)
0.967
ИКРБС
Разработка базовых конструкций кристаллов мощных УВЧ-транзисторов ряда 1,5, 10 Вт.Разработка технологии изготовления омических контактов, барьерной металлизации, пассивации барьерной металлизации.Изготовление тестовых транзисторных структур.Моделирование гетероструктуры нитрида галлия на кремнии для широкополосного усилителя.Разработка технологического монитора и методики измерения параметров тестовых структур. Разработка эскизной КД на кристаллы мощных УВЧ-транзисторов ряда 1, 5, 10 Вт.Разработка и изготовление комплекта фотошаблонов
для изготовления кристаллов мощных УВЧ-транзисторов ряда 1, 5, 10 Вт.
0.939
ИКРБС
Исследование и разработка технологии получения параметрического ряда высокоомных многослойных структур арсенида галлия с обратным напряжением 600-1200 В. Доработка конструкции двухблочного графитового ростового устройства, изготовление и испытания контрольных силовых диодов и опытных образцов высокоомных многослойных структур арсенида галлия.
0.938
ИКРБС
Обобщение и оценка результатов исследований
0.932
ИКРБС
Повышение быстродействия высоковольтных силовых гетероэпитаксиальных GaAs/AlGaAsSb p-i-n диодов, работающих при температурах более 300 С.
0.931
НИОКТР
Разработка ТД изготовления макетных образцов кристаллов мощных УВЧ-транзисторов и МИС УВЧ Литер 1, 2 и 3.Изготовление макетных образцов кристаллов мощных УВЧ-транзисторов ряда 1, 5, 10 Вт.Измерение параметров тестовых структур и макетных образцов мощных УВЧ-транзисторов ряда 1, 5, 10 Вт.
Разработка эскизной КД на кристаллы МИС УВЧ Литер 1, 2 и 3.Разработка и изготовление комплекта фотошаблонов для изготовления кристаллов
мощных УВЧ-транзисторов ряда 1, 5, 10 Вт и МИС УВЧ литер 1, 2, 3.Изготовление макетных образцов кристаллов мощных УВЧ-транзисторов ряда 1, 5, 10 Вт
и МИС УВЧ литер 1, 2, 3
0.930
ИКРБС
Физико-технологические основы создания фотоприемных устройств на основе полупроводников A3B5
0.929
ИКРБС
Исследование и моделирование конструкции транзисторных наногетероструктур типа AlGaN/GaN на подложках кремния и специальных подложках кубического карбида кремния на кремнии (3С-SiC/Si)
0.928
НИОКТР