НИОКТР
№ 124012100143-3Разработка гетероструктур арсенида галлия-алюминия и технологии их производства для приборов высокотемпературной электроники
08.01.2024
Проект «Разработка гетероструктур арсенида галлия-алюминия и технологии их производства для приборов высокотемпературной электроники» направлен на создание гетероструктур арсенида галлия-алюминия, обеспечивающих изготовление силовых диодов с обратным напряжением пробоя 400 - 1200 В и максимальной рабочей температурой до 250 оС. Применение высокотемпературной элементной базы актуально в оборудовании атомной энергетики, авиастроения и автопрома, космических технологий, нефтегазовой отрасли. Используемые в разработке новые технологические и конструкторские решения, защищенные рядом патентов РФ, позволят создать на основе разработанных гетероструктур высоковольтные силовые диоды, превышающие по своим параметрам существующие отечественные и зарубежные аналоги. От отечественных производителей силовых диодов получено подтверждение готовности к запуску серийного производства приборов на основе разрабатываемых гетероструктур.
ГРНТИ
47.09.29 Полупроводниковые материалы
Ключевые слова
время обратного восстановления
силовой диод
высокоомная область
многослойные композиции
арсенид галлия-алюминия
гетероструктура
жидкофазная эпитаксия
высокотемпературная электроника
Детали
Начало
27.12.2023
Окончание
26.01.2026
№ контракта
17ГРЭ-С18/91634
Заказчик
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "ФОНД СОДЕЙСТВИЯ РАЗВИТИЮ МАЛЫХ ФОРМ ПРЕДПРИЯТИЙ В НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЙ СФЕРЕ"
Исполнитель
ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "МЕГА ЭПИТЕХ"
Бюджет
Средства фондов поддержки научной и (или) научно-технической деятельности: 46 000 000 ₽
Похожие документы
Исследование и разработка высокоомных многослойных структур арсенида галлия для быстровосстанавливающихся диодов с обратным напряжением 900-1200 В.
0.943
НИОКТР
Исследование и разработка технологии получения параметрического ряда высокоомных многослойных структур арсенида галлия с обратным напряжением 600-1200 В. Доработка конструкции двухблочного графитового ростового устройства, изготовление и испытания контрольных силовых диодов и опытных образцов высокоомных многослойных структур арсенида галлия.
0.941
НИОКТР
Исследование и разработка конструкций и технологий гетеробиполярных транзисторов на основе гетероструктур арсенида галлия, необходимых для монолитных схем СВЧ-генераторов с ультранизкими фазовыми шумами коротковолновой части сантиметрового диапазона
0.937
НИОКТР
Исследование и разработка конструкций и технологий гетеробиполярных транзисторов на основе гетероструктур арсенида галлия, необходимых для монолитных схем СВЧ-генераторов с ультранизкими фазовыми шумами коротковолновой части сантиметрового диапазона
0.937
НИОКТР
Разработка гетероструктур арсенида галлия-алюминия и технологии их производства для приборов высокотемпературной электроники (заключительный).
0.933
ИКРБС
Разработка технологии изготовления силовых коммутационных транзисторов на основе нитрида галлия для создания энергоэффективных источников вторичного электропитания
0.929
ИКРБС
Исследование и разработка высокоомных многослойных структур арсенида галлия для быстровосстанавливающихся диодов с обратным напряжением 900 - 1200 В
0.928
ИКРБС
Исследования технологических принципов формирования арсенид-галлиевых наногетероструктур с локализующими потенциальными барьерами и мощных СВЧ транзисторов на их основе с удельной мощностью не менее 1,5 Вт/мм и КПД не менее 50%
0.928
НИОКТР
Разработка технологии получения эпитаксиальных гетероструктур арсенидов галлия и алюминия для нового поколения силовых приборов. Анализ полученных результатов и корректировка технологических режимов, разработка технологии
0.928
ИКРБС
Разработка технологии изготовления силовых коммутационных транзисторов на основе нитрида галлия для создания энергоэффективных источников вторичного электропитания
0.927
ИКРБС