НИОКТР
№ АААА-А20-120102290013-5Развитие методов синтеза и подходов к созданию элементов устройств сенсорики и плазмоники на основе тонкопленочных структур и наноматериалов из оксида цинка и диоксида ванадия
04.09.2020
Будут разработаны методики лазерного синтеза и исследованы свойства тонкопленочных гетероструктур VO2/ZnO и наноструктур сердцевина - оболочка (VO2 пленка)/(ZnO наностержень) в диапазоне температур структурного перехода VO2. Для создания и исследования сенсоров на поверхностных акустических волнах (ПАВ) в проекте будет разработан метод импульсного лазерного синтеза пленок VO2 с узким переходом металл-диэлектрик на пьезоэлектрических подложках LiNbO3 с подслоем ZnO и на сапфире . Будет разработана методика лазерного синтеза, получены зависимости изменения скорости ПАВ за счет магнитострикции в пленках NiFe; Ni,CoFe2O4. Будут исследованы управляемых светом и/или током ПАВ отражатели на основе VO2 пленок. Будет исследовано управляемое светом и/или током ответвление из канала в канал ПАВ волны на основе VO2 пленок. Будут исследована чувствительность и быстродействие сенсоров УФ и ИК диапазона на основе тонких пленок и наноструктур сердцевина оболочка (VO2 пленка)/(ZnO наностержень). Будет изучен фототермический эффект в гибридных наноструктурах на основе тонких пленок VO2 с помощью регистрации изменения параметров поверхностной акустической волны.Будут изучены новые типы метаповерхностей на основе VO2 для новых устройств фотоники суб-ТГц/ТГц диапазона.
ГРНТИ
29.19.22 Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
29.19.16 Физика тонких пленок. Поверхности и границы раздела
29.37.25 Акустоэлектроника и акустооптика
Ключевые слова
импульсно лазерное напыление
тонкие пленки
наноструктуры
оксид ванадия
оксид цинка.
акустические поверхностные волны
сенсоры УФ и ИК излучения
сенсоры магнитного поляf
Детали
Начало
01.01.2020
Окончание
31.12.2022
№ контракта
ВнГр-07/2020-06-ММ
Заказчик
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет"
Исполнитель
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет"
Бюджет
Собственные средства организаций: 9 600 000 ₽
ИКРБС
Похожие документы
Развитие методов синтеза и подходов к созданию элементов устройств сенсорики и плазмоники на основе тонкопленочных структур и наноматериалов из оксида цинка и диоксида ванадия
1.000
НИОКТР
1.10. Создание материалов для термоэлектрических генераторов, элементов прозрачной электроники, сенсорики, нанофотоники на основе широкозонных полупроводниковых оксидов и халькогенидов, модификация их реальной структуры и свойств внешними воздействиями.
0.936
НИОКТР
Создание материалов для термоэлектрических генераторов, элементов прозрачной электроники, сенсорики, нанофотоники на основе широкозонных полупроводниковых оксидов и халькогенидов, модификация их реальной структуры и свойств внешними воздействиями.
0.934
НИОКТР
Функциональные слои перспективной элементной базы микроэлектронных систем, полученные методом низкотемпературного синтеза слоёв оксидов металлов в квазиравновесных условиях
0.931
НИОКТР
Модификация микроструктуры и функциональных свойств тонкопленочных материалов на основе оксида цинка с применением комплексного подхода к их синтезу
0.931
Диссертация
Исследование механизмов формирования, микроструктуры, электрофизических и оптических свойств дисперсных, объемных и тонкопленочных функциональных материалов оптоэлектроники и сенсорики
0.928
ИКРБС
Развитие методов синтеза, исследование свойств наноструктур и пленок на основе оксида цинка для создания элементов устройств микро-и наноэлектроники и фотоники
0.928
ИКРБС
Развитие методов синтеза, теоретическое и экспериментальное исследование наноструктур на основе оксида цинка для создания элементов фотоприемников, оптических наноантенн, пьезо- и хемосенсоров
0.927
ИКРБС
Развитие представлений о процессах синтеза и свойствах наноразмерных материалов и гетероструктур для электроники и фотоники.
0.927
ИКРБС
Модификация свойств оксидных микро- и наноструктур для использования их в различных устройствах электронной техники
0.925
ИКРБС