Способ изготовления контактов

Результат выполнения технологической разработки. Относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления термостабильных контактов с низким сопротивлением. Обеспечивает снижение сопротивления контакта, технологичность изготовления, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных. Техническая задача решаемая разработкой: снижение сопротивления контакта, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных. Техническая задача решается формированием барьерных пленок TaN предложенным способом. На подложке кремния Si с ориентацией (100), удельным сопротивлением 10 Ом*см, наносят барьерные слои пленок TaN реактивным распылением в смеси Аг+10%N2, толщиной ТаN 30 нм. Скорость нанесения 1,5 нм/мин. Температура Si-подложек 400°С. Давления 10-4 Па. Затем проводят термообработку при температуре 500°С. Термообработку структур осуществляют в вакууме, в течение 30 мин. Слои осажденные в среде Аг+10%N2 сохраняют свои барьерные свойства до 600°С и слои полученные при 10%N2, являются стехиометрическим соединением TaN. По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы полупроводниковые приборы. Экспериментальные исследования показали, что выход годных структур на партии пластин, сформированных в оптимальном режиме, увеличился на 18,4%. Стабильность параметров во всем эксплуатационном интервале температур была нормальной и соответствовала требованиям. Технический результат: снижение сопротивления контакта, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличения процента выхода годных структур.