Способ изготовления полупроводникового прибора

Использование: изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления затворного оксида полевого транзистора с пониженными токами утечки и снижения влияния инжекции горячих носителей. Сущность: технология способа состоит в следующем: на пластинах кремния р-типа проводимости создавали активные области «-канального полевого транзистора по стандартной технологии, выращивался слой термического оксида SiO2 толщиной 10 нм окислением в сухом кислороде О2 при температуре 850°С и атмосферном давлении в течение 50 мин. Затем проводили процесс азотирования 10-нанометрового термического оксидного слоя SiO2 в среде аммиака NH3 в течение 60 мин при температуре 850°С и давлении 0,1 атм и последующее реоксидирование азотированного оксида в сухом О2 при атмосферном давлении, температуре 850°С в течение 180 мин. Области полевого транзистора и контакты к этим областям формировали по стандартной технологии. Технический результат: реоксидирование обеспечивает удаление электронных ловушек и подавление образования состояний на границе раздела Si/SiO2 и, соответственно, снижение токов утечки и влияния инжекции горячих носителей.