РИД
№ АААА-Г19-619121190022-8Способ получения спин-поляризованных носителей заряда в графене
11.12.2019
В изобретении приводится описание способа получения спин-поляризованных носителей заряда в графене путем создания поверхностной фазы европия методом молекулярно-лучевой эпитаксии при указанных ростовых параметрах. Полученная структура соответствует одному монослою EuC6, проявляющему ферромагнитные свойства, с сохранением графена в качестве канала проводимости. Графен со спин-поляризованными носителями может быть использован при создании ультракомпактных устройств спиновой электроники
ГРНТИ
29.19.37 Теория магнитных свойств твердых тел
29.19.39 Ферромагнетики
29.19.22 Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
Ключевые слова
СПИНТРОНИКА
МИКРОЭЛЕКТРОНИКА
ГРАФЕН
ПОВЕРХНОСТНАЯ ФАЗА
МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ
Детали
Тип РИД
Изобретение
Сферы применения
Микро- и наноэлектроника, изготовление спинового фильтра, изготовление инжектора спин-поляризованного тока
Ожидается
Исполнитель
Исполнители
федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт"
Заказчик
Правительство Российской Федерации
Похожие документы
Способ создания устойчивых к окислению сверхтонких графеновых структур со спин-поляризованными носителями заряда
0.946
РИД
Способ создания устойчивых к окислению сверхтонких графеновых структур со спин-поляризованными носителями заряда
0.946
РИД
Способ выращивания эпитаксиальных пленок монооксида европия на графене
0.940
РИД
Способ создания сверхтонких графеновых структур с высокой подвижностью спин-поляризованных носителей заряда
0.940
РИД
Способ создания материалов на основе германена EuGe2 и SrGe2 с высокой подвижностью носителей заряда
0.931
РИД
Способ создания субмонослойных двумерных ферромагнитных материалов, интегрированных с кремнием
0.927
РИД
Спиновый фильтр на основе эпитаксиальных гетероструктур оксидов редкоземельных металлов на кремнии
0.916
НИОКТР
Способ формирования тонкой пленки монооксида европия на кремниевой подложке с получением эпитаксальной гетероструктуры EuO/Si
0.911
РИД
Способ создания двумерных ферромагнитных материалов EuGe2 и GdGe2 на основе германена
0.908
РИД
Способ создания эпитаксиальных гетероструктур EuO/Si с атомно-резким интерфейсом
0.907
РИД