РИД
№ 623032400051-2Инфракрасный светодиод
24.03.2023
Инфракрасный светодиод включает световыводящий слой, активную область, выполненную на основе нескольких квантовых ям InGaAs, окруженную барьерными широкозонными слоями, брегговский отражатель, отражательный слой, выполненный из AlGaAs с содержанием AlAs более 75%, контактный слой из AlGaAs с шириной запрещенной зоны, равной энергии квантов генерируемого излучения, соединенный с серебряным зеркалом матрицей цилиндрических металлических контактов. Между цилиндрическими металлическими контактами выполнен слой диэлектрика толщиной, равной толщине цилиндрических металлических контактов. Инфракрасный светодиод обеспечивает снижение внутренних омических и оптических потерь и достижение внешней квантовой эффективности более 37 %, что соответствует мировому уровню эффективности инфракрасных светодиодов, излучающих в спектральном диапазоне (750-950) нм.
ГРНТИ
44.41.35 Установки прямого преобразования энергии светового излучения в электрическую
Ключевые слова
Инфракрасный светодиод
полупроводник
внешняя квантовая эффективность
брегговский отражатель
Детали
НИОКТР
Тип РИД
Изобретение
Сферы применения
Изобретение относится к электронной технике, в частности, к полупроводниковым приборам и может быть использовано при разработке и изготовлении светоизлучающих диодов и различных устройств на их основе.
Ожидается
Исполнитель
Исполнители
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. А.Ф. ИОФФЕ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
Заказчик
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Похожие документы
Гетероструктурный инфракрасный светоизлучающий диод
0.919
РИД
Излучающее в инфракрасном диапазоне спектра электролюминесцентное устройство в интегральном исполнении с кремниевой подложкой
0.913
РИД
Инфракрасный фоточувствительный элемент
0.911
РИД
Гетероструктурный фотодиод для ближнего и среднего ИК-диапазона на основе нитевидных нанокристаллов арсенида-фосфида-висмутида индия на подложках кремния
0.898
РИД
ИНФРАКРАСНЫЙ ДЕТЕКТИРУЮЩИЙ МОДУЛЬ
0.897
РИД
Фоточувствительная к инфракрасному излучению структура и способ ее изготовления
0.895
РИД
Гибридный фотодетектор среднего ИК диапазона на основе ближнепольной связи локализованных фононных-поляритонов с электронной подсистемой полупроводниковых GaAs/AlGaAs квантовых ям
0.891
РИД
Фоторезистор на основе монокристалла CdS, функционирующий в ближней инфракрасной области спектра
0.890
Промышленная инновация
Фотодиод для средневолнового инфракрасного излучения
0.890
РИД
Полупроводниковый электролюминесцентный источник света
0.890
РИД