РИД
№ 624122600391-4Программа для моделирования процессов автоэпитаксиального роста GaAs/GaAs(111)A методом Монте-Карло
26.12.2024
Программа предназначена для моделирования процессов автоэпитаксиального роста GaAs/GaAs(111)A методом Монте-Карло и исследования влияния технологических параметров метода молекулярно-лучевой эпитаксии на морфологию поверхности, а также диффузионные характеристики адатомов Ga. В программе учитываются возможности изменения параметров температуры ростового процесса, скорости роста, соотношения потоков, наблюдения за изменением морфологии поверхности в режиме реального времени, вывода результатов моделирования отдельным файлом.
ГРНТИ
45.09.35 Полупроводниковые материалы
29.29.41 Взаимодействие атомов и молекул со средой
Ключевые слова
наноэлектроника
молекулярно-лучевая эпитаксия
Детали
НИОКТР
№ АААА-А15-115121110033-7
Тип РИД
Программа для ЭВМ
Сферы применения
Эпитаксия полупроводниковых соединений на основе GaAs.
Ожидается
Исполнитель
Исполнители
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "ЮЖНЫЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ"
Заказчик
Российский научный фонд
Похожие документы
Программа для моделирования роста GaAs при молекулярно-лучевой эпитаксии на подложке GaAs(110)
0.953
РИД
Программа для моделирования роста наноструктур индия методом капельной эпитаксии на подложке GaAs с углублениями полусферической формы
0.916
РИД
Программа для моделирования процессов формирования наноструктур In/AlGaAs(001) методом капельной эпитаксии
0.912
РИД
Программа для кинетического моделирования формирования наноструктур In/GaAs(001) методом капельной эпитаксии
0.911
РИД
Моделирование процессов капельной эпитаксии наноструктур In/GaAs на подложке с модифицированными участками трапециевидной формы
0.908
РИД
Кинетическое моделирование физических процессов при росте наноструктур In/AlGaAs методом капельной эпитаксии на подложках, модифицированных участками прямоугольной формы
0.907
РИД
Программа для моделирования процессов роста на подложке с прямоугольными углублениями при капельной эпитаксии In/GaAs(001)
0.904
РИД
Гибридная модель синтеза упорядоченных наноструктур In/AlGaAs на комплексных поверхностях с различной огранкой
0.896
РИД
Программа для моделирования эпитаксиального роста наноструктур In на подложке GaAs(001) с модифицированными участками треугольной формы
0.892
РИД
Моделирование процессов формирования массивов наноструктур In/GaAs с низкой поверхностной плотностью методом капельной эпитаксии на структурированных поверхностных слоях
0.891
РИД