РИД
№ 624110700291-3Программа для моделирования процессов формирования наноструктур In/AlGaAs(001) методом капельной эпитаксии
07.11.2024
Программа для моделирования роста наноструктур индия методом капельной эпитаксии на плоской подложке AlGaAs. Программно-реализованная модель позволяет учесть межатомное взаимодействие частиц в шести координационных сферах на основе потенциала Леннарда-Джонса и плотность упаковки атомов в формируемых структурах, получить зависимости геометрических параметров наноструктур от температуры, толщины осаждения и др. Функциональные возможности программы включают исследование формы наноструктур на плоских участках подложки, определение приоритетных позиций для нуклеации островков, вычисление геометрических параметров наноструктур, расчёт степени заполнения углублений осаждаемым материалом в зависимости от технологических параметров.
ГРНТИ
45.09.39 Углеродные материалы, включая наноструктурированные и алмазы
Ключевые слова
наноструктуры индия
метод капельной эпитаксии
Детали
НИОКТР
№ АААА-А15-115121110033-7
Тип РИД
Программа для ЭВМ
Сферы применения
Программа для моделирования роста наноструктур индия методом капельной эпитаксии на плоской подложке AlGaAs.
Ожидается
Исполнитель
Исполнители
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет"
Заказчик
Российский научный фонд
Похожие документы
Программа для моделирования роста наноструктур индия методом капельной эпитаксии на подложке GaAs с углублениями полусферической формы
0.976
РИД
Программа для моделирования процессов роста на подложке с прямоугольными углублениями при капельной эпитаксии In/GaAs(001)
0.963
РИД
Программа для кинетического моделирования формирования наноструктур In/GaAs(001) методом капельной эпитаксии
0.962
РИД
Программа для моделирования эпитаксиального роста наноструктур In на подложке GaAs(001) с модифицированными участками треугольной формы
0.961
РИД
Кинетическое моделирование физических процессов при росте наноструктур In/AlGaAs методом капельной эпитаксии на подложках, модифицированных участками прямоугольной формы
0.952
РИД
Моделирование процессов капельной эпитаксии наноструктур In/GaAs на подложке с модифицированными участками трапециевидной формы
0.946
РИД
Программа для моделирования процессов формирования нанокапель In на подложках, модифицированных треугольными углублениями, с учетом влияния доли атомов Al в эпитаксиальном слое
0.946
РИД
Моделирование процессов формирования массивов наноструктур In/GaAs с низкой поверхностной плотностью методом капельной эпитаксии на структурированных поверхностных слоях
0.938
РИД
Гибридная модель синтеза упорядоченных наноструктур In/AlGaAs на комплексных поверхностях с различной огранкой
0.932
РИД
Программа для моделирования процессов автоэпитаксиального роста GaAs/GaAs(111)A методом Монте-Карло
0.912
РИД