Гибридная модель синтеза упорядоченных наноструктур In/AlGaAs на комплексных поверхностях с различной огранкой

Программа предназначена для моделирования процессов синтеза наноструктур In методом капельной эпитаксии на комплексных поверхностях AlGaAs с различной огранкой. Алгоритм программы реализуется согласно гибридной модели, основанной на комбинации классической теории нуклеации и метода Монте-Карло. Реализованная в программе модель позволяет учесть процессы зарождения и роста островков на поверхностях AlGaAs, имеющих различную кристаллографическую огранку. Область применения программы: капельная эпитаксия наноструктур InAs/GaAs. Функциональные возможности программы включают реализацию комплексной морфологии поверхности с участками различной огранки, расчет размера, поверхностной плотности и степени упорядоченности формирующихся наноструктур, оценку степени заполнения углублений, учет содержания Al в поверхностном слое. Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства науки и высшего образования Российской Федерации, государственное задание в области научной деятельности, проект № FENW-2022-0034 (вн. №ГЗ0110/22-04ЭП*S7).