РИД
№ АААА-Г20-620082490013-3

Устройство для осаждения тонких пленок из газовой фазы

24.08.2020

Изобретение относится к оборудованию для осаждения тонких пленок и покрытий из паров химических веществ на плоскую полупроводниковую подложку и может быть использовано в технологических процессах изготовления электронных и электромеханических приборов. Задача изобретения заключается в создании надежного и экономичного устройства для реализации процесса осаждения тонких пленок стимулированного плазмой, пригодного также для атомно-слоевого осаждения. Технический результат изобретения заключается в упрощении конструкции и в использовании меньшего количества исходных реагентов.
ГРНТИ
47.13.19 Прочие технологические процессы и оборудование в производстве радиоэлектронной аппаратуры
47.13.11 Технология и оборудование для производства полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники
Ключевые слова
осаждение тонких пленок из газовой фазы
Детали

Тип РИД
Изобретение
Сферы применения
Изобретение относится к оборудованию для осаждения тонких пленок и покрытий из паров химических веществ на твердые плоские изделия, в частности полупроводниковые подложки, используемые в технологических процессах создания электронных и электромеханических приборов.
Ожидается
Исполнитель
Исполнители
Акционерное общество "Научно-исследовательский институт точного машиностроения"
Заказчик
Акционерное общество "Научно-исследовательский институт точного машиностроения"