Способ изготовления фотоэлектрического преобразователя лазерного излучения

05.09.2022

Способ изготовления фотоэлектрического преобразователя лазерного излучения включает выращивание методом жидкофазной эпитаксии в потоке очищенного водорода на подложке n-InP базового слоя n-InGaAsP, слоя p+- InGaAsP, формирование диффузионного p-n перехода, утонение подложки InP, формирование фронтального и тыльного омических контактов, травление разделительной мезы. При этом в качестве источников компонентов для расплава используются нелегированные полупроводниковые материалы InP, InAs и GaAs.

ГРНТИ

44.41.35 Установки прямого преобразования энергии светового излучения в электрическую

Ключевые слова

фотоэлектрический преобразователь

лазерное излучение

преобразование лазерного излучения

системы беспроводной передачи энергии

Детали

НИОКТР

№ АААА-А19-119020790035-3

Тип РИД

Изобретение

Сферы применения

Изобретение относится к системам беспроводной передачи энергии, в частности, к способу изготовления фотоэлектрических преобразователей (ФЭП), и может быть использовано в электронной промышленности для преобразования лазерного излучения в электрическую энергию.

Ожидается

Исполнитель

Исполнители

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук

Заказчик

МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Похожие документы

Способ изготовления фотоэлектрического преобразователя на утоняемой германиевой подложке

0.934

РИД

Способ изготовления фотопреобразователя

0.934