ИКРБС
№ АААА-Б20-220072890015-8Изготовление и исследование ЭО гетероструктур и кристаллов ВИЛ. Обобщение и оценка результатов исследований.
25.12.2019
Проведена корректировка конструкции и технологии изготовления гетероструктур и кристаллов ВИЛ спектрального диапазона 1530-1565 нм, изготовлены и проведены исследовательские испытания экспериментальных образцов гетероструктур и кристаллов ВИЛ, разработана конструкция и технологии изготовления ВИЛ спектрального диапазона 1530-1565 нм с оптоволоконным выводом, а также проведены их исследовательские испытания. Все параметры ТЗ успешно достигнуты.
ГРНТИ
29.33.51 Физические основы применения лазеров
29.31.21 Оптика твердых тел
29.33.15 Оптические квантовые генераторы и усилители (лазеры)
Ключевые слова
ФОТОНИКА
ВЕРТИКАЛЬНО-ИЗЛУЧАЮЩИЙ ЛАЗЕР
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
ФОСФИД ИНДИЯ
АРСЕНИДЫ ГАЛЛИЯ
ИНДИЯ И АЛЮМИНИЯ
МОЛЕКУЛЯРНО-ПУЧКОВАЯ ЭПИТАКСИЯ
Детали
Заказчик
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Исполнитель
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИТМО"
Похожие документы
Выбор направления исследований и разработка технологии изготовления активной области для ВИЛ спектрального диапазона 1530-1565 нм. Разработка конструкции кристаллов ВИЛ спектрального диапазона 1530-1565 нм.
0.940
ИКРБС
Разработка технологии молекулярно-пучковой эпитаксии, изготовление и исследования ЭО полупроводниковых наногетероструктур для ВИЛ спектрального диапазона 1530-1565 нм. Разработка технологии изготовления кристаллов ВИЛ.
0.908
ИКРБС
Апробация технологии молекулярно-пучковой эпитаксии полупроводниковых наногетероструктур А³В⁵ для ВИЛ ближнего ИК-диапазона. Апробация технологии изготовления тестовых кристаллов ВИЛ. Обобщение и оценка результатов исследований
0.897
ИКРБС
Апробация технологии молекулярно-пучковой эпитаксии полупроводниковых квантово-размерных наногетероструктур активной области и распределенных брэгговских отражателей для ВИЛ ближнего ИК-диапазона. Разработка методик измерения характеристик тестовых кристаллов ВИЛ
0.897
ИКРБС
Экспериментальная апробация гетероструктур, разработка планарной технологии кристаллов вертикально излучающих лазеров спектрального диапазона 1250 - 1300 нм
0.897
ИКРБС
Разработка технологии молекулярно-пучковой эпитаксии полупроводниковых наногетероструктур для ВИЛ ближнего ИК-диапазона. Разработка лабораторной планарной технологии тестовых кристаллов ВИЛ.
0.895
ИКРБС
Разработка физических основ конструирования и технологии создания полупроводниковых гетероструктур вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1300–1550 нм, фотоприемников спектрального диапазона 850–1600 нм, лазеров с пассивной синхронизацией мод и других типов новых оптоэлектронных приборов
0.888
ИКРБС
ВЫБОР НАПРАВЛЕНИЯ ИССЛЕДОВАНИЙ, РАЗРАБОТКА КОНСТРУКЦИИ И ТЕХНОЛОГИИ СИНТЕЗА ГЕТЕРОСТРУКТУР, РАЗРАБОТКА КОНСТРУКЦИИ КРИСТАЛЛА ВЕРТИКАЛЬНО-ИЗЛУЧАЮЩИХ ЛАЗЕРОВ СПЕКТРАЛЬНОГО ДИАПАЗОНА 1250-1300НМ
0.877
ИКРБС
Исследование и разработка способов изготовления интегральных оптических волноводов и элементов на их основе
0.876
ИКРБС
ВЫРАЩИВАНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ ЛАЗЕРНЫХ СТРУКТУР С МНОГОСЛОЙНЫМИ КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ In(Ga)As/GaAsНА ПОДЛОЖКАХ Ge/Si
0.874
ИКРБС