Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение

Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Пат 5382534 США, МКИ H01L 21/265], в котором с помощью ионной имплантации в подложке между участками полевого окисла создаются два слоя - для установления порогового напряжения и для предотвращения эффекта смыкания. В этих слоях вскрываются две параллельные канавки, стенки и дно которых легируются соответственно наклонной и вертикальной ионной имплантацией. В таких структурах образуются механические напряжения, которые ухудшают параметры приборов.Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Пат 5144394 США, МКИ H01L 29/06], в котором контактные области истока и стока полевого транзистора на поверхности кремниевой Si-подложки формируют с использованием процессов ионного легирования и диффузии, р-n переходы на внутренних границах указанных областей являются границами канала полевого транзистора. Для изоляции отдельных транзисторных структур используют слой толстого полевого окисла.

Исполнитель

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет"

Министерство образования и науки Российской Федерации